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市場上的 DDR3 記憶體已經讓顆粒廠和模組廠進入到一個瓶頸，而下一世代的 DDR4 究竟何時會出現，除了是顆粒廠、模組廠，也更是不少使用者心中的一個疑問。

在 IDF 2012 San Francisco 中，目前最大的兩家記憶體顆粒廠 Samsung 以及 SK hynix 在簡報中，各別提到 DDR4 將會在 2014 年正式發表，不過不要以為開始就會在消費型市場採用。

我們在 SK hynix 的簡報中，也發現到 Haswell-EP 似乎會採用 DDR4，而從 2012 年第一季開始，Intel 和 SK hynix 已經進入開發階段，就目前的 roadmap 來看，最快或許會在 2013 年第三季正式採用。

Ultrabook 部分在 2014 年進入代號為 Broadwell 的處理器世代之後，將有機會採用 DDR4-RS。不過 SK hynix 在高階產品的部分依舊會維持在 LPDDR3。

究竟 DDR4 除了能夠挽救顆粒以及模組廠之外，還有什麼好處呢？

DDR4 工作電壓為 1.2V，低於 DDR3L 的 1.35V。額定工作電壓雖然降低了，但是整體的時脈將會更高，透過圖表可以更容易了解。在 1.35V 的額定工作電壓下，DDR3L 提供 1,866Mb/s 的速率；DDR4 在 1.2V 的額定電壓下，可以到 3200Mb/s，快了近 45%。

額定工作電壓的下降，也讓整體的功耗降低了 50%。對於 Server 而言，功耗減少，能夠降低整個機房的用電量；而對於行動裝置如 Ultrabook 或是平板電腦而言，功耗降，能夠提升些許的續航力，為使用者帶來更多的使用時間。

目前兩家 DDR4 將會使用 2xnm 製程。

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